A Perspective on Symmetric Lateral Bipolar Transistors on SOI as a Complementary Bipolar Logic Technology

تاریخ: ۲۰۱۵

پایگاه: IEEE Xplore

لینک دانلود اصل مقاله

نام مجله: Electron Devices Society

قیمت: ۲۰۰,۰۰۰ ریال

تعداد صفحات انگلیسی: ۱۲

تعداد صفحات فارسی: ۴۲

کد: ۳۰۳۸۳

چکیده فارسی

مقالات تازه انتشار یافته بیان کرده‌اند که ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن با روش ساخت مبنی بر نیمه‌هادی روی عایق (SOI) به لحاظ پروسه ساخت قابل مقایسه با CMOS می‌باشد و به دلیل داشتن جریان راه‌اندازی بسیار بالاتر(۵ تا ۱۰ برابر) نسبت به ترانزیستورهای CMOS می‌توانند نسبت به آنها در طیف گسترده‌تری کاربرد داشته باشد. وقتی که این ترانزیستورها در مدارهای دوقطبی رایج استفاه می‌شود، ترانزیستور دوقطبی SOI اتلاف توان کمتر و/ یا حداکثر سرعت بیشتری از خود نشان می‌دهند. با در نظر گرفتن ویژگی‌های قابل مقایسه ترانزیستورهای NPN و PNP، ترانزیستور دوقطبی جانبی SOI، امکان استفاده از مدارات دوقطبی مکمل  (CBipolar) در پیکربندی آنالوگ به جای CMOS را پیشنهاد می‌کند. در این تحقیق، عملکرد مدارات متشکل از CBipolar در برابر اتلاف توان آن با استفاده از معادلات تحلیلی سنجیده می‌شود. نشان داده می‌شود که برای اینکه CBipolar به لحاظ عملکرد و اتلاف توان نسبت به CMOS دارای عملکرد بهتری باشد، ساختارهای با پیوند متفاوت دارای بیس با گاف باریک مانند امیتر سیلیکونی با بیس ژرمانیمی یا امیتر سیلیکونی با بیس سیلیکون ژرمانیمی مورد نیاز است.

چکیده انگلیسی

Recently published reports suggest that symmetric lateral bipolar transistors on semiconductor-on-insulator (SOI) is CMOS compatible in fabrication process, and can be much denser than CMOS due to their much larger (5-10× larger) drive-current capability. When used in traditional bipolar circuits, SOI bipolar offers much lower power dissipation and/or much higher maximum speed. With both NPN and PNP devices of comparable characteristics, SOI lateral bipolar suggests the possibility of complementary bipolar (CBipolar) circuits in configurations analogous to CMOS. In this paper, the performance versus power dissipation of CBipolar circuits is examined using analytic equations. It is shown that for CBipolar to be superior to CMOS in both performance and power dissipation, narrow-gap-base heterojunction structures, such as Si emitter with Ge base or Si emitter with SiGe base, are required

مشخصات استنادی

Ning, T. H., & Cai, J. (2015). A Perspective on Symmetric Lateral Bipolar Transistors on SOI as a Complementary Bipolar Logic Technology. Electron Devices Society, IEEE Journal of the, 3(1), 24-36

دانلود اصل مقاله

ویژگی‌های مقاله آشنایی با ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن بر مبنای SOI به عنوان یک تکنولوژی منطقی دوقطبی مکمل

مقاله “آشنایی با ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن بر مبنای SOI به عنوان یک تکنولوژی منطقی دوقطبی مکمل” در سال ۲۰۱۵ در مجله Electron Devices Society چاپ شده و در پایگاه اطلاعاتی IEEE Xplore نمایه شده است. این مقاله به بررسی ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن، ترانزیستورهای CMOS، روش ساخت مبنی بر نیمه‌هادی روی عایق (SOI)، ترانزیستورهای NPN و PNP پرداخته است. همچنین براساس اطلاعات پایگاه اطلاعاتی گوگل اسکولار این مقاله ۱ بار مورد استناد قرار گرفته است.